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IRF7601
1200
1000
V GS
C iss
C rs s
C os s
=
=
=
=
0V , f = 1 MH z
C gs + C gd , C ds SH O R TED
C gd
C ds + C gd
10
8
I D = 3.8 A
V D S = 16 V
C is s
800
C os s
6
600
4
400
200
C rs s
2
FO R TEST C IR C U IT
0
A
0
SEE F IGU R E 9
A
1
10
100
0
4
8
12
16
20
24
100
V D S , D rain-to-S ource Voltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPE R ATIO N IN TH IS A RE A LIMITE D
BY R D S(o n)
10
T J = 1 50 °C
10 0μ s
T J = 25° C
10
1
1m s
T A = 25 °C
0.1
V G S = 0 V
A
1
T J = 15 0°C
S ing le Pulse
10 ms
A
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0.1
1
10
100
V S D , Source-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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